¿Sería posible hornear un bizcocho a temperatura ambiente y que su masa quedara tan esponjosa como los cocinados a 160-180ºC? El presente artículo de revisión demuestra algo parecido pero extrapolado al campo de los materiales avanzados y uno de sus mayores exponentes: los óxidos metálicos. Su integración en dispositivos electrónicos requiere la cristalización del material a temperaturas por lo general superiores a 600ºC. Este trabajo muestra una selección de las metodologías químicas más relevantes para inducir la cristalización del óxido metálico a temperaturas mucho más bajas (<350ºC), explicando de forma sencilla las claves para conseguirlo. La disminución de la temperatura de procesado del material conlleva un inmediato beneficio económico y medioambiental al reducir el consumo energético del proceso de fabricación. En el caso particular de los óxidos metálicos supone además un extraordinario avance tecnológico al permitir su integración sobre sistemas flexibles de baja estabilidad térmica (plástico, papel o textil), contribuyendo así al desarrollo del emergente campo de la electrónica flexible. Los dispositivos resultantes ― baratos, ligeros y flexibles ― están llamados a revolucionar la industria electrónica mediante nuevas aplicaciones como visualizadores de gran área (pantallas, televisores), tecnología ponible (ropa inteligente) o piel electrónica (sensores corporales, robótica).
I.Bretos; R.Jiménez; J.Ricote; M.L Calzada. Low-temperature crystallization of solution-derived metal oxide thin films assisted by chemical processes. Chemical Society Reviews. DOI: 10.1039/C6CS00917D